8月1日，半導(dǎo)體行業(yè)存儲(chǔ)技術(shù)開發(fā)商Weebit Nano Limited宣布其推出的電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（ReRAM）模塊已完全符合汽車1級(jí)非易失性存儲(chǔ)器（NVM）的指定溫度要求，即125℃。這證明Weebit ReRAM適用于微控制器和其它汽車組件以及高溫工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用。

本次溫度測(cè)試使用Weebit演示芯片，該芯片由研發(fā)合作伙伴CEA-Leti根據(jù)JEDEC非易失性存儲(chǔ)器行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行制造。此類標(biāo)準(zhǔn)是從三個(gè)獨(dú)立晶圓批次中盲選許多硅芯片進(jìn)行嚴(yán)格測(cè)試。

大多數(shù)用于消費(fèi)和工業(yè)應(yīng)用的芯片需要在0至 85 ℃的溫度條件下進(jìn)行長(zhǎng)達(dá) 10 年的測(cè)試。針對(duì)先進(jìn)汽車部件的測(cè)試則更為嚴(yán)格，需要在更高溫度下進(jìn)行 10 年或更長(zhǎng)時(shí)間的合格測(cè)試，且不能出現(xiàn)任何故障。所有Weebit芯片都成功通過(guò)了在125℃下為期10年的整套合格測(cè)試，證明Weebit的嵌入式ReRAM IP的質(zhì)量和可重復(fù)性達(dá)標(biāo)，可在需要高溫及可靠性的應(yīng)用中使用。

圖源來(lái)自Weebit Nano官網(wǎng)

Weebit Nano首席執(zhí)行官 Coby Hanoch 表示：“成功通過(guò)鑒定屬于Weebit Nano一個(gè)項(xiàng)目，通過(guò)該項(xiàng)目，我們將把ReRAM（RRAM）技術(shù)擴(kuò)展到更高的溫度、更長(zhǎng)的保持時(shí)間和更高的耐用性水平。我們?cè)谂c一級(jí)代工廠和半導(dǎo)體公司的討論過(guò)程中發(fā)現(xiàn)他們對(duì)我司用于汽車和工業(yè)應(yīng)用的ReRAM越來(lái)越感興趣。能夠證明Weebit ReRAM在高溫下的彈性程度將繼續(xù)推動(dòng)討論進(jìn)程。我們相信與其他新興的非易失性存儲(chǔ)器（NVM）相比，ReRAM是汽車和工業(yè)應(yīng)用的更好選擇，這得益于其優(yōu)越的高溫性能、低復(fù)雜性、高成本效益和其他諸如對(duì)輻射和電磁干擾耐受性等優(yōu)勢(shì)。"

Yole集團(tuán)旗下Yole Intelligence公司內(nèi)存部門首席技術(shù)與市場(chǎng)分析師Simone Bertolazzi表示：“嵌入式ReRAM在編程時(shí)間、耐用性和功耗等性能指標(biāo)方面都優(yōu)于閃存，是汽車應(yīng)用的理想選擇。由于主要代工廠和領(lǐng)先汽車MCU供應(yīng)商的需求量增加，嵌入式ReRAM晶圓的數(shù)量預(yù)計(jì)將在2022年至2028年期間以大于80%的年復(fù)合增長(zhǎng)率增長(zhǎng)。在這一大背景下，Weebit的ReRAM 能夠以較低成本上升至先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)，而現(xiàn)代汽車芯片正是基于這些工藝節(jié)點(diǎn)所設(shè)計(jì)的。Weebit Nano與行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者攜手為這一不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng)開創(chuàng)了電阻式存儲(chǔ)器技術(shù)，為芯片設(shè)計(jì)人員提供了機(jī)會(huì)，助力創(chuàng)建性能、功耗和成本更加平衡的汽車電路。

Weebit ReRAM演示芯片由用于嵌入式應(yīng)用的完整子系統(tǒng)組成，包括Weebit ReRAM模塊、RISC-V 微控制器 (MCU)、系統(tǒng)接口、存儲(chǔ)器和外設(shè)。ReRAM 模塊包括128KB 1T1R ReRAM陣列、控制邏輯、解碼器、IO（輸入/輸出通信元件）和糾錯(cuò)碼 (ECC)。它采用獨(dú)特的正在申請(qǐng)專利的模擬、數(shù)字電路設(shè)計(jì)和運(yùn)行智能算法，大大提高存儲(chǔ)器陣列的技術(shù)參數(shù)。Weebit將繼續(xù)與CEA-Leti和 SkyWater Technology合作，將其ReRAM模塊的認(rèn)證擴(kuò)展到更高的溫度和耐用性水平。