2026年1月28日，韓國8英寸純晶圓代工廠SK Keyfoundry宣布推出第四代200V高壓0.18微米BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工藝，并將與韓國國內(nèi)及國外主要客戶開展全面產(chǎn)品開發(fā)，目標(biāo)是在年內(nèi)實現(xiàn)量產(chǎn)。

圖片來源：SK Keyfoundry

隨著汽車電動化和人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心的快速發(fā)展，市場對高壓、高效功率半導(dǎo)體的需求也迅速增長。尤其值得一提的是，汽車電氣架構(gòu)正從12V系統(tǒng)向48V系統(tǒng)過渡，而人工智能服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心的工作電壓也從380V直流提升至高達(dá)800V直流，以最大限度地提高功率效率和密度。在此背景下，能夠可靠地承受100V以上高壓并實現(xiàn)高效功率控制的工藝技術(shù)的重要性前所未有地凸顯。

SK Keyfoundry最新推出的第四代200V高壓0.18微米BCD工藝，其比導(dǎo)通電阻（specific on-resistance，Rsp）和擊穿電壓（breakdown voltage，BVDSS）相較于之前的第三代工藝提高了20%以上，具備更高的功率效率和高溫穩(wěn)定性。此外，該工藝可針對不同工作電壓優(yōu)化低導(dǎo)通電阻器件，從而最大限度地減少芯片面積和功耗，進(jìn)一步增強(qiáng)工藝的整體競爭力。

值得一提的是，該工藝提供了一種厚金屬間電介質(zhì)（Thick IMD）選項，可在采用BCD和高壓MOSFET技術(shù)的高壓大電流PMIC器件之間安全傳輸數(shù)字信號，同時阻隔不必要的高壓和噪聲。該工藝還支持多種嵌入式存儲器選項，包括SRAM、ROM、MTP和OTP，以及用于精密電機(jī)控制的霍爾（Hall）傳感器，進(jìn)一步拓展了高壓IC的設(shè)計靈活性。 

SK Keyfoundry的全新工藝可應(yīng)用于多種產(chǎn)品的開發(fā)，包括高壓電源管理和轉(zhuǎn)換IC、電機(jī)驅(qū)動器、LED驅(qū)動器以及電源柵極驅(qū)動器。更重要的是，它符合嚴(yán)苛的汽車可靠性認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q100 0級，因此可立即應(yīng)用于即使在極端工作條件下也需要高可靠性的汽車電子元件中。

SK Keyfoundry首席執(zhí)行官Derek D. Lee表示：“隨著人工智能服務(wù)器和汽車電子系統(tǒng)對更高功率的需求不斷增長，對100V以上BCD工藝的需求也迅速增加。但是，目前能夠提供基于體硅的高壓BCD工藝的代工廠數(shù)量有限，因此我們200V高壓0.18微米BCD工藝的量產(chǎn)具有里程碑式的意義。我們將根據(jù)功率半導(dǎo)體市場不斷變化的客戶需求，持續(xù)推進(jìn)工藝技術(shù)發(fā)展。”