1月23日，三菱電機公司（Mitsubishi Electric）宣布即將發(fā)布6款新型J3系列功率半導(dǎo)體模塊，用于各類電動汽車（xEVs）。新半導(dǎo)體模塊采用碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（SiC-MOSFET）或RC-IGBT（Si），具有緊湊的設(shè)計和可擴展性，可用于電動汽車（EV）和插電式混合動力汽車（PHEV）的逆變器。這6款J3系列產(chǎn)品將于3月25日起提供樣品裝運。

J3-T-PM（圖片來源：Mitsubishi）

新型電源模塊將于1月24日至26日在日本東京國際展覽中心（Big Sight）舉行的第38屆日本電子元器件及制造設(shè)備展（NEPCON JAPAN 2024）上展出，以及在北美、歐洲、中國和其他地方舉行的其他展覽進(jìn)行展出。

為應(yīng)對脫碳舉措，能夠有效轉(zhuǎn)換電力的功率半導(dǎo)體不斷擴展且多樣化，而市場對能夠顯著降低功率損耗的碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體的需求也在增加。

J3-HEXA-S（圖片來源：Mitsubishi）

在xEV領(lǐng)域，功率半導(dǎo)體模塊廣泛用于功率轉(zhuǎn)換設(shè)備，如xEV驅(qū)動電機的逆變器。除了擴大xEV的續(xù)航里程外，電池和逆變器還需要緊湊、高功率和高效的模塊來進(jìn)一步縮小尺寸。但由于xEV的高安全標(biāo)準(zhǔn)，驅(qū)動電機中使用的功率半導(dǎo)體必須比一般工業(yè)應(yīng)用中使用的更可靠。這些碳化硅產(chǎn)品的開發(fā)得到了日本新能源和工業(yè)技術(shù)開發(fā)組織（NEDO）的部分支持。

J3-HEXA-L（圖片來源：Mitsubishi）