據(jù)外媒報(bào)道，美格納半導(dǎo)體公司（Magnachip Semiconductor）宣布推出新600V超結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SJ MOSFET）系列，共包含九種采用專有設(shè)計(jì)技術(shù)的產(chǎn)品。

圖片來源：Magnachip

Magnachip的專有設(shè)計(jì)可將特定導(dǎo)通電阻（RSP）降低約10%，并且保持與上一代MOSFET相同的單元間距。此外，新600V SJ MOSFET系列采用快速恢復(fù)體二極管，顯著提高了系統(tǒng)效率，同時(shí)減少了反向恢復(fù)時(shí)間（trr）和開關(guān)損耗。因此，評(píng)估MOSFET綜合性能的品質(zhì)因數(shù)與上一代產(chǎn)品相比提高了10%以上。新600V SJ MOSFET系列可廣泛用于工業(yè)應(yīng)用，例如太陽(yáng)能逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)、不間斷電源系統(tǒng)和各種電子產(chǎn)品。

新MOSFET系列中，MMQ60R044RFTH產(chǎn)品具有僅為44mΩ的極低RDS（on），因此是電動(dòng)汽車充電器和服務(wù)器的最佳選擇。一國(guó)外研究機(jī)構(gòu)稱，2023年至2026年，用于混合動(dòng)力和電動(dòng)汽車和服務(wù)器的Si MOSFET市場(chǎng)的復(fù)合年增長(zhǎng)率將分別為11%和7%。

Magnachip首席執(zhí)行官YJ Kim表示：“在推出這些600V SJ MOSFET產(chǎn)品后，我們的目標(biāo)是在2023年下半年推出采用快速恢復(fù)體二極管的新型650V和700V SJ MOSFET產(chǎn)品?；谛翸OSFET系列的成功，我們將繼續(xù)開發(fā)下一代電源解決方案，以滿足快速變化的市場(chǎng)需求和客戶期望?！?/p>