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武漢市芯火元科技有限公司

基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET|船用電驅(qū)系統(tǒng)SiC碳化硅功率模塊|...

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儲(chǔ)能變流器PCS碳化硅SiC模塊全面革掉IGBT模塊的命
發(fā)布時(shí)間:2024-11-24        瀏覽次數(shù):153        返回列表

BASiC?基半股份一級(jí)代理商


為什么在儲(chǔ)能變流器PCS應(yīng)用中碳化硅SiC模塊全面革掉IGBT模塊的命!


儲(chǔ)能變流器(Power Conversion System)英文簡(jiǎn)稱(chēng)PCS,可控制蓄電池的充電和放電過(guò)程,進(jìn)行交直流的變換,在無(wú)電網(wǎng)情況下可以直接為交流負(fù)荷供電。 儲(chǔ)能變流器PCS由DC/AC 雙向變流器、控制單元等構(gòu)成。 根據(jù)功率指令的符號(hào)及大小控制變流器對(duì)電池進(jìn)行充電或放電,實(shí)現(xiàn)對(duì)電網(wǎng)有功功率及無(wú)功功率的調(diào)節(jié)。PCS儲(chǔ)能變流器,全稱(chēng)Power Conversion System,是儲(chǔ)能系統(tǒng)中的關(guān)鍵設(shè)備,用于實(shí)現(xiàn)儲(chǔ)能電池與電網(wǎng)之間的能量轉(zhuǎn)換和雙向流動(dòng)。它能夠?qū)⒅绷麟娹D(zhuǎn)換為交流電或?qū)⒔涣麟娹D(zhuǎn)換為直流電,以滿足電網(wǎng)對(duì)儲(chǔ)能系統(tǒng)的充放電需求。PCS儲(chǔ)能變流器在儲(chǔ)能系統(tǒng)中扮演著“橋梁”的角色,連接著儲(chǔ)能電池和電網(wǎng),確保儲(chǔ)能系統(tǒng)的高效、穩(wěn)定運(yùn)行。


PCS儲(chǔ)能變流器的應(yīng)用場(chǎng)景


1.能量時(shí)移:在用戶(hù)側(cè)儲(chǔ)能系統(tǒng)中,PCS儲(chǔ)能變流器可以用于能量時(shí)移,將白天時(shí)段內(nèi)光伏多余的發(fā)電量?jī)?chǔ)存起來(lái),在晚上或者陰雨天氣無(wú)光伏發(fā)電量的時(shí)段內(nèi)再通過(guò)PCS釋放出來(lái),可以實(shí)現(xiàn)光伏發(fā)電的最大化自發(fā)自用。


2.峰谷套利:在用戶(hù)側(cè)儲(chǔ)能系統(tǒng)中,尤其是執(zhí)行分時(shí)電價(jià)的工商業(yè)園區(qū),PCS儲(chǔ)能變流器可用于進(jìn)行峰谷套利,通過(guò)在電價(jià)低廉的時(shí)間段進(jìn)行充電,在電價(jià)高昂的時(shí)間段進(jìn)行放電,實(shí)現(xiàn)低充高放進(jìn)行套利,達(dá)到節(jié)省園區(qū)整體用電成本的目的。


3.動(dòng)態(tài)擴(kuò)容:在電力容量受限的場(chǎng)景,類(lèi)似電動(dòng)汽車(chē)充電站場(chǎng)景,通過(guò)PCS儲(chǔ)能變流器配置儲(chǔ)能電池來(lái)進(jìn)行動(dòng)態(tài)擴(kuò)容,充電高峰時(shí)候,PCS儲(chǔ)能變流器進(jìn)行放電,提供額外的功率支持;充電低峰時(shí),PCS儲(chǔ)能變流器進(jìn)行充電,儲(chǔ)存低價(jià)的電能進(jìn)行備用,既能實(shí)現(xiàn)峰谷套利,又能給充電場(chǎng)站進(jìn)行動(dòng)態(tài)擴(kuò)容。


4. 微電網(wǎng)系統(tǒng):在微電網(wǎng)系統(tǒng)中,PCS儲(chǔ)能變流器能夠?qū)崿F(xiàn)分布式電源與儲(chǔ)能系統(tǒng)的協(xié)調(diào)控制,提高微電網(wǎng)的穩(wěn)定性和供電質(zhì)量。通過(guò)PCS儲(chǔ)能變流器的精確功率控制和智能能量管理,可以實(shí)現(xiàn)微電網(wǎng)系統(tǒng)中電源和負(fù)荷的平衡和優(yōu)化調(diào)度。


5. 電力系統(tǒng)調(diào)頻調(diào)峰:在電力系統(tǒng)中,PCS儲(chǔ)能變流器可以用于調(diào)頻調(diào)峰,提高電網(wǎng)的穩(wěn)定性和可靠性。當(dāng)電網(wǎng)負(fù)荷高峰時(shí),PCS儲(chǔ)能變流器可以釋放儲(chǔ)能電池中的能量,為電網(wǎng)提供額外的功率支持;當(dāng)電網(wǎng)負(fù)荷低谷時(shí),PCS儲(chǔ)能變流器則可以吸收電網(wǎng)中的多余能量,為儲(chǔ)能電池充電,以備后用。


PCS儲(chǔ)能變流器的發(fā)展趨勢(shì)


目前在大型儲(chǔ)能電站中普遍采用集中式PCS,一臺(tái)大功率PCS同時(shí)控制多簇并聯(lián)的電池,電池簇間的不均衡問(wèn)題得不到有效的處理;而組串式PCS,一臺(tái)中小功率的PCS只控制一簇電池,實(shí)現(xiàn)一簇一管理,有效規(guī)避電池簇間的木桶效應(yīng),提升系統(tǒng)壽命,提高全壽命周期放電容量,組串式PCS規(guī)?;瘧?yīng)用趨勢(shì)已見(jiàn)雛形,在工商業(yè)儲(chǔ)能一體柜中組串式PCS已成為行業(yè)主流方案,未來(lái)在大型儲(chǔ)能電站中也將實(shí)現(xiàn)大規(guī)?;瘧?yīng)用。


隨著新能源和智能電網(wǎng)的快速發(fā)展以及儲(chǔ)能技術(shù)的不斷進(jìn)步,PCS儲(chǔ)能變流器將面臨更大的發(fā)展機(jī)遇和挑戰(zhàn)。未來(lái),PCS儲(chǔ)能變流器將朝著更高效、更智能、更靈活的方向發(fā)展。


IGBT模塊在十幾 kHz開(kāi)關(guān)頻率中就會(huì)表現(xiàn)出嚴(yán)重的局限性,由于IGBT模塊尾電流導(dǎo)致?lián)p耗較大。使用 SiC-MOSFET模塊,開(kāi)關(guān)頻率增加,從而減小了濾波器體積。SiC 模塊允許在數(shù)十和數(shù)百 kHz 的頻率下運(yùn)行,開(kāi)關(guān)損耗相對(duì)較低,從而顯著減少了濾波器和散熱熱系統(tǒng)的體積。這些技術(shù)進(jìn)步使變流器總體積大幅度減少,效率提高,從而能夠在較低溫度下運(yùn)行并可能延長(zhǎng)組件的使用壽命。

為了滿足PCS儲(chǔ)能變流器更高效的需求,使用基本公司碳化硅SiC模塊全面取代IGBT模塊,可以提升系統(tǒng)效率1%,有效提升客戶(hù)在PCS生命周期里的收益。SiC模塊全面取代IGBT模塊,從而將PCS儲(chǔ)能變流器開(kāi)關(guān)損耗降低高達(dá) 70% 至 80%,在儲(chǔ)能變流器PCS應(yīng)用中碳化硅SiC模塊全面革掉IGBT模塊的命!



國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?SiC碳化硅MOSFET模塊正在替代英飛凌三菱賽米控富士IGBT模塊!

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使用國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?SiC碳化硅MOSFET升級(jí)傳統(tǒng)IGBT變流器,實(shí)現(xiàn)更高的變流效率,更小的變流體積重量!更低的變流成本!


隨著銅價(jià)暴漲高燒不退,如何降低電感等磁性元件成本將成為電力電子制造商的一大痛點(diǎn),使用國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?碳化硅MOSFET單管或者模塊替代IGBT單管或模塊,可以顯著提頻降低系統(tǒng)綜合成本(電感磁性元件,散熱系統(tǒng),整機(jī)重量),電力電子系統(tǒng)的全碳SiC時(shí)代,未來(lái)已來(lái)!基半BASiC一級(jí)代理商專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?SiC碳化硅MOSFET!基半BASiC一級(jí)代理商全力推進(jìn)基本公司?國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT!


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大組串IGBT光伏逆變器MPPT傳統(tǒng)上使用飛跨電容IGBT方案,控制復(fù)雜,頻率低,采用國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?2000V系列SiC碳化硅MOSFET進(jìn)行兩電平改造,控制簡(jiǎn)單可靠,頻率提升,電感成本降低,MPPT部分提升效率,降低成本。


IGBT芯片技術(shù)不斷發(fā)展,但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進(jìn)幅度越來(lái)越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來(lái)越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導(dǎo)體提供了實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體總功率損耗的顯著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低開(kāi)關(guān)損耗,從而提高開(kāi)關(guān)頻率。進(jìn)一步的,可以?xún)?yōu)化濾波器組件,相應(yīng)的損耗會(huì)下降,從而全面減少系統(tǒng)損耗。通過(guò)采用低電感SiC MOSFET功率模塊,與同樣封裝的Si IGBT模塊相比,功率損耗可以降低約70%左右,可以將開(kāi)關(guān)頻率提5倍(實(shí)現(xiàn)顯著的濾波器優(yōu)化),同時(shí)保持最高結(jié)溫低于最大規(guī)定值。



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